Процессор Intel Pentium Extreme Edition 955 — прощальное слово архитектуры NetBurst

Сергей Пахомов

Самый современный технологический процесс производства

Модельный ряд двухъядерных процессоров Intel Pentium D 9xx

Чипсет Intel 975X Express (Glenwood)

Тестирование платформы Intel

Настройки тестов

Анализ результатов

 

В начале января 2006 года корпорация Intel объявила о выходе новейшей двухъядерной платформы, включающей семейство новых двухъядерных процессоров и материнскую плату на наборе микросхем Intel 975X Express.

На страницах нашего журнала мы уже не раз писали о закате архитектуры NetBurst, на основе которой были построены процессоры Intel Pentium 4 и которая верой и правдой служила корпорации Intel на протяжении долгих пяти лет. Однако каждая архитектура имеет свой жизненный цикл и неизбежно наступает момент, когда потенциал архитектуры полностью исчерпывается и ее дальнейшее развитие оказывается нецелесообразным. Тем не менее компания Intel организовала эффектный финал, анонсировав напоследок новую серию двухъядерных процессоров Intel Pentium D 9хх (ядро Presler), в которой воплотились все лучшие достижения архитектуры NetBurst. Впрочем, обо всех достоинствах и технологиях, реализованных в новом семействе процессоров, мы еще расскажем, а пока что обратимся к не менее значимому факту. Дело в том, что новые процессоры производятся по новейшему 65-нанометровому технологическому процессу. Отметим, что конкуренты Intel пока еще далеки от промышленного освоения 65-нанометрового техпроцесса и внедрят его в лучшем случае к концу 2006 года.

Самый современный технологический процесс производства

Что же такого особенного в 65-нанометровом техпроцессе, что заставляет говорить о нем как о технологическом прорыве компании Intel?

Дело в том, что проектная норма производства (130-нм, 90-нм, 65-нм и т.д.) в конечном счете определяет характерные размеры транзисторов. Чем меньше проектная норма производства, тем меньше и физические размеры получаемых транзисторов, а следовательно, тем выше плотность их размещения на кристалле. Кроме того, с уменьшением проектной нормы производства снижается и напряжение, требуемое для питания транзисторов, а значит, сокращается потребляемая мощность в расчете на один транзистор. Кроме того, возрастает скорость переключения транзисторов, что, в свою очередь, позволяет увеличить тактовую частоту процессора. К примеру, если считать, что длина затвора транзистора уменьшается в M раз, то в такое же число раз снижается и рабочее напряжение затвора. Помимо этого в M раз возрастает скорость работы транзистора, квадратично увеличивается плотность размещения транзисторов на кристалле, а рассеиваемая мощность сокращается в M2 раз. Таким образом, становится очевидно, что уменьшение размеров транзисторов положительно сказывается на их характеристиках.

По сравнению с 90-нанометровым техпроцессом, при котором длина затвора транзистора составляет 50 нм, при 65-нанометровом техпроцессе она сокращается до 35 нм, то есть в 1,4 раза. Соответственно в 1,4 раза возрастает скорость работы транзисторов, а напряжение питания, наоборот, снижается в 1,4 раза. Но главное, что рассеиваемая при этом мощность уменьшается в 2 раза!

Однако переход на новый технологический процесс производства процессоров не так-то просто реализовать на практике, особенно если речь идет о массовом производстве. И именно поэтому смена техпроцесса может рассматриваться как технологический прорыв, как очередной шаг на пути освоения наномира.

Технологический процесс производства во многом определяется используемым в производстве литографическим процессом, основной характеристикой которого является так называемая разрешающая способность. От разрешающей способности литографического процесса напрямую зависит минимальная толщина линии, которую можно нанести на слой фоторезиста.

В современном производстве процессоров используется проекционная литография, для которой разрешающая способность определяется критерием Релея:

,

где  — длина волны источника излучения, NA — числовая апертура объектива, а k1 — коэффициент пропорциональности, зависящий от типа фоторезиста и от самого технологического процесса.

Из приведенной формулы для разрешающей способности оптической литографии следует, что лучшего разрешения можно достичь путем увеличения числовой апертуры проекционной установки или за счет перехода к источниками излучения с более короткой длиной волны.

Если говорить об источниках излучения, то в современной литографии используется коротковолновое ультрафиолетовое излучение с длиной волны 193 нм (технологический процесс 180, 130, 90 и 65 нм).

Другой не менее важной характеристикой оптической литографии является глубина резкости. Если от разрешающей способности зависит характерный поперечный размер фокусировки, то глубина резкости определяет характерное расстояние фокусировки в продольном направлении. Глубина резкости рассчитывается по формуле:

Сравнение формул для разрешающей способности и глубины резкости показывает, что при увеличении числовой апертуры происходит ухудшение разрешения, приводящее как к уменьшению минимально возможной толщины линии, так и к снижению глубины резкости, что отрицательно сказывается на литографическом процессе, поскольку требует более прецизионного контроля точности. К примеру, чем ниже глубина резкости, тем большую точность необходимо обеспечить при размещении пластины в проекционной установке, с тем чтобы выдержать ее параллельность фокальной плоскости (плоскости фокуса) с точностью до долей микрометра. Так, до недавнего времени глубина резкости, используемая в оптической литографии, составляла 0,5 мкм, что обеспечивало необходимое значение контроля точности производственного процесса.

На практике приемлемые значения для k1 и k2 определяются экспериментально и имеют значения, позволяющие обеспечить требуемый контроль точности. До недавнего времени в оптической литографии использовались значения k1 и k2, превышающие 0,6, что весьма удобно при массовом производстве, поскольку при этом не требуется прецизионный контроль точности (обеспечивается необходимый уровень глубины резкости).

На рис. 1 представлены значения коэффициента k1 и глубины резкости DOF для литографических процессов с различной разрешающей способностью (с разными длинами волн источников излучения). Зона, соответствующая значению k1 больше 0,6 и глубине резкости DOF больше 0,5 мкм, обозначена как зона комфорта для процесса изготовления. Видно, что в эту зону попадает лишь литографический процесс с разрешением 350 нм, которому соответствует источник излучения с длиной волны 248 нм.

 

Рис. 1. Значения k1 и DOF для различных литографических процессов при NA=0,6 и k1=k2

Рис. 1. Значения k1 и DOF для различных литографических процессов при NA=0,6 и k1=k2

Из рис. 1 видно, что все технологические процессы, за исключением 350-нанометрового, лежат вне зоны комфорта, то есть для них глубина резкости составляет менее 0,5 мкм, а значение k1 — менее 0,6, причем для 65-нанометрового литографического процесса значения k1 и DOF наихудшие, что, естественно, очень осложняет технологический процесс производства. Для того чтобы литографический процесс при столь малом значении глубины резкости и значении коэффициента k1 стал возможным, используют различные технологии улучшения разрешающей способности, например маски с фазовым сдвигом.

В подобных масках (рис. 2) на одну из двух соседних прозрачных линий на маске накладывается фазовый фильтр, сдвигающий фазу проходящей волны на 180°. В результате интерференции волн в противофазе происходит их взаимное ослабление в области между двумя экспонируемыми линиями, что делает их более различимыми и повышает разрешающую способность.

 

Рис. 2. Маски с фазовым сдвигом

Рис. 2. Маски с фазовым сдвигом

После небольшого экскурса в оптическую литографию и рассмотрения тех проблем, которые приходится решать для улучшения разрешающей способности оптической литографии, с тем чтобы уменьшить геометрические размеры транзистора, становится понятна вся значимость перехода на 65-нанометровый технологический процесс.

Другая проблема, которая появляется при переходе на новый технологический процесс, — это возникающие токи утечки.

Дело в том, что экспоненциальное увеличение числа транзисторов на кристалле приводит и к экспоненциальному росту потребляемой мощности, и, как следствие, к перегреву. Причин тому несколько, но все они объясняются тем, что уменьшение размеров транзистора приводит к возникновению токов утечки. Токи утечки появляются через слой диэлектрика, отделяющего область затвора от кремниевой подложки, и между истоком и стоком при «выключенном» состоянии транзистора.

При этом чем меньше размеры транзисторов, тем выше возникающие токи утечки. Дело в том, что между длиной канала и толщиной слоя диэлектрика соблюдается простое соотношение:

,

то есть толщина слоя диэлектрика приблизительно в 45 раз меньше длины канала.

Однако уменьшение толщины слоя диэлектрика имеет свои негативные стороны. Дело в том, что при достижении величины в несколько нанометров начинают сказываться эффекты туннелирования зарядов через слой диэлектрика, что и приводит к возникновению токов утечки.

Вторая проблема, как уже отмечалось, связана с возникновением тока утечки между истоком и стоком и заключается в том, что транзистор, накапливающий заряд, обладает определенной емкостью. Эта емкость является паразитной и влияет на скорость переключения транзистора, то есть делает его более инертным. Заряд, накапливаемый транзистором в то время, когда он «открыт», не может мгновенно «рассосаться» после того, когда транзистор запирается. В результате возникает ток утечки, ограничивающий скорость переключения транзистора.

Для борьбы с паразитными токами утечки используется технология напряженного кремния (Strained Silicon Technology) (рис. 3), идея которой предельно проста. Известно, что создание напряжений в пространственной решетке — таких, чтобы атомы кремния находились друг от друга на расстоянии, чуть превышающем естественное, — приводит к ускорению переключений транзисторов типа NMOS так же, как сжатие пространственной решетки влечет за собой аналогичный эффект для транзисторов типа PMOS. Это «растяжение/сжатие» именуют напряжением. В технологии напряженного кремния в NMOS-транзисторах поверх транзистора в направлении движения электрического тока наносится слой нитрида кремния (Si3N4), вследствие чего кремниевая кристаллическая решетка «растягивается». В PMOS-устройствах это достигается за счет нанесения слоя SiGe в зоне образования переносчиков тока — здесь решетка «сжимается» в направлении движения электрического тока, а потому «дырочный» ток течет свободнее. В обоих случаях прохождение тока значительно облегчается.

 

Рис. 3. Технология напряженного кремния

Рис. 3. Технология напряженного кремния

Технология напряженного кремния стала использоваться при производстве процессоров начиная с 90-нанометрового технологического процесса. Однако в случае 65-нанометрового технологического процесса можно говорить о новом поколении технологии, что позволило достичь 5-кратного снижения токов утечки (рис. 4).

 

Рис. 4. Эффективность технологии напряженного кремния

Рис. 4. Эффективность технологии напряженного кремния

Еще одно нововведение, используемое в 65-нанометровом технологическом процессе производства, — это 20-процентное снижение подзатворной емкости, что также способствует уменьшению токов утечки (рис. 5). Достигается это благодаря тому, что при длине канала в 35 нм толщина слоя подзатворного диэлектрика составляет 1,2 нм, то есть столько же, сколько и при 90-нанометровом техпроцессе. Если бы толщина слоя диэлектрика уменьшилась (как и положено) в 1,4 раза при переходе на новый техпроцесс, то неизбежно увеличился бы ток утечки за счет эффекта туннелирования зарядов через слой диэлектрика.

 

Рис. 5. Снижение токов утечки за счет уменьшения подзатворной емкости

Рис. 5. Снижение токов утечки за счет уменьшения подзатворной емкости

В начало В начало

Модельный ряд двухъядерных процессоров Intel Pentium D 9xx

Итак, после краткого обзора особенностей 65-нанометрового технологического процесса производства вернемся к новым двухъядерным процессорам Intel на ядре Presler. Модельный ряд двухъядерных процессоров на ядре Presler сегодня состоит из четырех моделей: процессора Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 и четырех процессоров семейства Intel Pentium D 9xx: 950, 540, 930 и 920.

Процессор Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 является флагманом линейки десктопных двухъядерных процессоров Intel и представляет собой процессор с двумя ядрами на одном кристалле и корпусировкой LGA775. Его тактовая частота составляет 3,46 ГГц.

Каждое ядро процессора имеет микроархитектуру NetBurst. Отметим, что из семейства всех двухъядерных процессоров на ядре Presler процессор Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 — единственный, поддерживающий технологию Hyper-Threading, что в совокупности обеспечивает обработку до четырех потоков. Поэтому с точки зрения операционной системы один такой физический процессор определяется как четыре логических процессора.

Каждое ядро процессора имеет собственный кэш второго уровня (L2) объемом 2 Мбайт, поэтому общий объем кэша L2 составляет 4 Мбайт. Казалось бы, такой мощный двухъядерный процессор будет выделять чрезмерно много тепла и потому потребует эффективной системы охлаждения. К сожалению, из официальных источников (сайт компании Intel) мы не смогли выяснить тепловыделение и рабочую температуру процессора Intel Pentium Extreme Edition 955, однако и так понятно, что 4-мегабайтный кэш и частота свыше 3 ГГц могут создать серьезные проблемы в смысле тепловыделения.

Кроме того, отметим, что данный процессор поддерживает технологии Intel Extended Memory 64 Technology, Execute Disable Bit (XD), технологию виртуализации Intel Virtualization Technology (VT), а также технологии тепловой защиты Thermal Monitor и Thermal Monitor 2. В то же время технология энергосбережения Enhanced Intel SpeedStep данным процессором не поддерживается.

Тактовая частота процессора Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 составляет 3,46 ГГц при частоте системной шины 266 МГц (коэффициент внутреннего умножения процессора равен 13x). Соответственно частота FSB составляет 1066 МГц, а пропускная способность памяти — 8,5 Гбайт/с, что делает эффективным использование с новым процессором высокоскоростной памяти.

Если говорить о доступности этого процессора в розничной сети, то сразу отметим, что он вряд ли когда-нибудь появится в продаже (в отличие от остальных двухъядерных процессоров Intel). Собственно, выпустили этот процессор вовсе не для того, чтобы его продавать (это, кстати, относится и к остальным процессорам элитной серии Extreme Edition). Просто данные процессоры символизируют собой достижения определенного этапа развития процессоров и устанавливают своего рода эталон производительности, по которому впоследствии процессоры будет удобно сравнивать.

Семейство двухъядерных моделей процессоров Intel Pentium D 9xx, как уже отмечалось, представлено четырьмя моделями. Отличие процессоров серии Intel Pentium D 9хх от процессора Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 заключается в том, что они не поддерживают технологию Hyper-Threading (возможность ее использования заблокирована на аппаратном уровне) и частоту FSB 1066 МГц (частота FSB для этих процессоров составляет 800 МГц). Кроме того, в отличие от Intel Pentium Processor Extreme Edition 955, все процессоры серии Intel Pentium D 9хх (кроме модели Intel Pentium D 920) поддерживают технологию энергосбережения Enhanced Intel SpeepStep. Дело в том, что технология Enhanced Intel SpeepStep позволяет динамически снижать тактовую частоту процессора до 2,8 ГГц, что реализуется динамическим изменением коэффициента умножения. Но у процессора Intel Pentium D 920 штатная тактовая частота уже составляет 2,8 ГГц, и снижать ее просто некуда.

Во всем остальном (кроме тактовых частот) процессоры Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 и Intel Pentium D 9хх идентичны друг другу, и, более того, кристаллы этих процессоров нарезаются из одних и тех же пластин.

Разница между самими процессорами серии Intel Pentium D 9хх заключается лишь в тактовой частоте. Так, процессору Intel Pentium D 950 соответствует частота 3,4 ГГц, процессору Intel Pentium D 940 — 3,2 ГГц, процессору Intel Pentium D 930 — 3,0 ГГц, а процессору Intel Pentium D 920 — 2,8 ГГц.

Подробные технические характеристики процессоров Intel Pentium D 9хх приведены в табл. 1.

 

Таблица 1. Технические характеристики двухъядерных процессоров семейства Intel Pentium D 9хх

Таблица 1. Технические характеристики двухъядерных процессоров семейства Intel Pentium D 9хх

Процессор Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 совместим с новым чипсетом Intel 975X Express (кодовое название Glenwood).

В начало В начало

Чипсет Intel 975X Express (Glenwood)

Вместе с новым процессором Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 компания Intel представила новый чипсет Intel 975X Express, который является логическим продолжением чипсета Intel 955X Express. Основное отличие чипсета Intel 975X Express от его предшественника 955X Express заключается в том, что в Intel 975X Express реализована поддержка двух графических карт, объединяемых по технологии CrossFire. При этом материнские платы на основе чипсета Intel 975X Express имеют по два слота с интерфейсом PCI Express x16. При использовании одной видеокарты PCI Express-слот работает в режиме x16, а в случае двух видеокарт каждый из слотов функционирует в режиме PCI Express x8.

Контроллер памяти чипсета Intel 975X Express поддерживает память DDR2-667 в двухканальном режиме, а шина памяти имеет пропускную способность 10,7 Гбайт/с, что делает ее сбалансированной с пропускной способностью процессорной шины. Всего поддерживается до 8 Гбайт памяти, причем реализована поддержка памяти с ECC. Кроме того, в контроллере памяти реализована технология оптимизации производительности памяти (Intel PAT). Частота FSB может составлять как 800, так и 1066 МГц.

Собственно, никаких других различий между чипсетами нет. В качестве южного моста используется все тот же концентратор ввода-вывода ICH7R, поддерживающий четырехканальный SATA RAID-контроллер с технологией Intel Matrix Storage, восьмиканальный звук аудиоформата Intel High Definition Audio, PCI-шину и шесть слотов шины PCI Express x1.

В начало В начало

Тестирование платформы Intel

После знакомства с новым поколением двухъядерных процессоров Intel и новым чипсетом, ориентированным на использование с новыми процессорами, ознакомимся с результатами тестирования новой платформы. При этом хотелось бы акцентировать внимание читателей на том факте, что речь идет именно о тестировании новой платформы, включающей и процессор, и материнскую плату, и дисковую подсистему, и графическую подсистему, и программное обеспечение. Возможно, такой подход (тестирование платформ, а не процессоров) — это дань моде (вспомним хотя бы об объявленном курсе на платформизацию). Хотя по сути это ничего не меняет. Но, поскольку сам производитель привязывает каждый процессор к определенной платформе, утверждая, что именно сочетание всех рекомендуемых компонентов в единой платформе позволяет раскрыть все потенциальные возможности, заложенные, в частности, и в процессор, мы будем в дальнейшем говорить именно о сравнении платформ.

Кроме того, с целью выявления преимуществ новой платформы Intel мы для сравнения протестировали еще одну платформу Intel на базе двухъядерного процессора Intel Pentium Processor Extreme Edition 840 и материнской платы на основе чипсета Intel 955X Express (платформа № 2). Технические характеристики тестируемых платформ представлены в табл. 2.

 

Таблица 2. Технические характеристики тестируемых платформ

Таблица 2. Технические характеристики тестируемых платформ

В начало В начало

Настройки тестов

После того как была анонсирована технология Intel Viiv — мультимедийная платформа для цифрового дома, позиционирование двухъядерных процессоров приобрело вполне конкретные очертания. Однако платформа Intel Viiv подразумевает использование операционной системы Microsoft Windows 2005 Media Center Edition. С одной стороны, было бы логично проводить тестирование именно с применением этой ОС. Однако, поскольку данная ОС в России не распространена, при тестировании мы будем использовать традиционную Microsoft Windows XP Professional SP2.

Кроме того, мы будем рассматривать возможности платформ на основе двухъядерных процессоров в несколько более широком плане, чем предусмотрено концепцией Intel Viiv. Поэтому для тестирования мы отобрали пакеты и бенчмарки, ориентированные для работы с 3D-графикой, обработки цифровых фотографий, видео- и аудиоданных, для работы в многопоточной среде, для создания Интернет-контента, а также стандартные офисные приложения. В то же время мы намеренно исключили из тестирования игровые приложения, подчеркивая этим нецелесообразность использования двухъядерных процессоров для игровых ПК.

В частности, для тестирования были отобраны следующие бенчмарки и реальные приложения:

  • VeriTest Business Winstone 2004;
  • VeriTest Multimedia Content Creation 2004;
  • SYSmark 04 SE;
  • PCMark 05;
  • iTunes 6.0.1.3;
  • XMPEG 5.2+DivX 6.1;
  • Adobe Photoshop CS2;
  • Adobe Premiere Pro 1.5;
  • Windows Media Encoder 9;
  • 3d Studio Max 7.0.

При тестировании в процессорах Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 и Intel Pentium Processor Extreme Edition 840 была активирована технология Hyper-Threading, несмотря на то, что во многих случаях ее отключение позволяет получить неплохой прирост в производительности. Тем не менее, если производитель расценивает эту технологию как преимущество процессора, будем тестировать с Hyper-Threading.

Первые три теста — это традиционные бенчмарки, предназначенные для тестирования производительности системы в целом c использованием популярных офисных приложений. Результаты этих тестов определяются не только процессором, но и пропускной способностью памяти, а также производительностью дисковой подсистемы компьютера. При использовании данных тестов устанавливалось разрешение экрана 1024x768 точек при 32-битной глубине цвета.

Тест PCMark 05 также является популярным бенчмарком, предназначенным для тестирования платформы в целом. При использовании данного теста применялись только наборы скриптов, предназначенных для тестирования процессоров (CPU Test).

Еще одна группа тестов была ориентирована на измерение производительности процессора при обработке аудио- и видеоданных. Для конвертации аудиоданных из формата WAV в формат MP3 был взят кодек iTunes 6.0.1.3, оптимизированный под многопоточность, — он эффективно раскладывает аудиоданные на два потока и использует два ядра процессора. В то же время применение технологии Hyper-Threading в процессоре серии Extreme Edition не приводит к распараллеливанию потока на четыре логических ядра процессора.

Отметим, что при конвертировании аудиофайла с применением кодека iTunes 6.0.1.3 использовался файл размером 701,5 Мбайт (1411 Кбит/с, 44 кГц, Stereo, 16 бит), а битрейт составлял 160 Кбит/с.

Для конвертирования видеофайла из формата MPEG-2 (расширение файла MPG) в формат DivX (контейнер AVI) использовалась утилита XMPEG 5.2 с кодеком DivX 6.1. Размер исходного видеофайла (в формате MPEG-2) составлял 110 Мбайт (разрешение 720Ѕ480), а размер сжатого файла в формате DivX — 88,8 Мбайт. При этом звук не подлежал компрессии (48 кГц, Stereo, 128 Кбит/с), а скорость видеопотока составляла 6147 Кбит/с. Отметим, что утилита XMPEG 5.2 с использованием кодека DivX 6.1 прекрасно раскладывает поток данных на два ядра процессора, равномерно загружая их. В то же время разложение на четыре потока (с учетом технологии Hyper-Threading) малоэффективно.

Для измерения производительности платформ при обработке цифровых фотографий использовался пакет Adobe Photoshop CS2. На исходное изображение (цифровая фотография) в формате TIFF последовательно накладывались фильтры, и рассчитывалось суммарное время выполнения всех операций.

Прозводительность платформ при обработке видеофайлов оценивалась с использованием пакетов Adobe Premiere Pro 1.5 и Windows Media Encoder 9.0.

Для конвертирования видеофайла из формата MPEG-2 (файл 10secHDV.mpg) в формат Hi Definition Windows Media Video (HDV 1080i) применялся пакет Adobe Premiere Pro 1.5 с плагином MainConcept MPEG Pro 1.05 HD и кодеком Windows Media Video 9.0. Видеофайл с разрешением 1440Ѕ1080 точек преобразовывался в HDV-формат с битрейтом 25 587 Кбит/с.

Для конвертирования DV-файла (контейнер avi) размером 416 Мбайт в формат WMV использовались программы Windows Media Encoder 9.0 (Advanced Profile). В случае применения конвертора Windows Media Encoder 9.0 (Advanced Profile) скорость кодирования составляла 282 Кбит/с, а разрешение — 320x240.

Следующий тест — это популярное 3D-приложение Discreet 3d Studio Max 7.0, которое использовалось только для рендеринга трехмерных сцен, поскольку именно в этом режиме наибольшая нагрузка приходится на центральный процессор системы. Для рендеринга применялась стандартная сцена Ape.max, входящая в комплект дистрибутива Discreet 3d Studio Max 7.0. Разрешение при рендеринге составляло 1024x768 точек, а в настройках программы использовался драйвер OpenGL.

Во всех тестах, кроме пакетов VeriTest Business Winstone 2004, VeriTest Multimedia Content Creation Winstone 2004, SYSmark 04 SE и PCMark 05, измеряемой характеристикой являлось время выполнения задачи. Поэтому чем меньше оказывалось время, тем лучше.

Результаты сравнительного тестирования процессоров представлены в табл. 3.

 

Таблица 3. Результаты сравнительного тестирования процессоров

Таблица 3. Результаты сравнительного тестирования процессоров

Прежде чем переходить к описанию результатов тестирования, отметим, что все результаты рассчитаны с доверительным интервалом с коэффициентом надежности 95%.

В начало В начало

Анализ результатов

В заключение попробуем проанализировать результаты тестирования.

В целом новая платформа Intel показывает неплохой прирост производительности в сравнении с двухъядерной платформой Intel предыдущего поколения, что достигается, во-первых, за счет вдвое большего размера кэша L2, а во-вторых, за счет большей частоты FSB, что приводит к увеличению пропускной способности процессорной шины. Кроме того, не стоит забывать и о возросшей тактовой частоте процессора, что во многих тестах ощутимо сказывается на результатах. Недостатком обеих платформ является тот факт, что использование технологии Hyper-Threading не только не способствует росту производительности, но и, наоборот, во многих случаях негативно сказывается на результатах.

К достоинствам нового процессора стоит отнести очень неплохие возможности по разгону. Вообще, довольно странно, что штатной тактовой частотой процессора Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 была выбрана 3,46 ГГц, а не 3,73 или 4 ГГц. Процессор Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 стабильно работает и на более высоких частотах. Возможно, этим компания Intel хотела еще раз подчеркнуть, что больше не участвует в «гонках тактовых частот» и использует иные методы повышения производительности. Правда, не совсем понятно, что мешает совмещать эти самые иные методы с высокими тактовыми частотами. Тем не менее такой подход вполне оправдан. Во-первых, никто не мешает самостоятельно разгонять процессоры, а во-вторых, использование высоких тактовых частот потребует более эффективной системы охлаждения.

Кстати, по поводу системы охлаждения стоит поговорить отдельно. Штатный кулер, поставляемый в комплекте с процессором Intel Pentium Processor Extreme Edition 955, явно не справляется. При загрузке компьютера — даже при нулевой загрузке процессора — температура устанавливается на отметке 75 °С, что, конечно же, неприемлемо. Поэтому при тестировании мы использовали кулер Fatal1ty FS-C77 — хотя и шумный, но обеспечивающий эффективное охлаждение. В результате даже при 100-процентной загрузке процессора в течение 30 мин его температура не поднималась выше 65 °С.

Вообще, сделать платформу на базе процессора Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 и материнской платы Intel Desktop Board D975XBX малошумной весьма проблематично. И дело здесь не только в том, что процессор требует эффективного охлаждения, но и в том, что материнская плата Intel Desktop Board D975XBX (точнее, текущая версия BIOS этой платы) не имеет никаких средств для управления скоростью вращения кулером по постоянному току. Несмотря на наличие настроек управления скоростью вращения вентиляторов, при подключении трехконтактного вентилятора, подразумевающего управление по постоянному току, эти настройки не работают. Вполне возможно, что при подключении четырехконтактного вентилятора, поддерживающего управление скоростью вращения с использованием технологии широтно-импульсной модуляции (ШИМ) напряжения, эти настройки и будут работать, только вот переключение между режимами управления по постоянному току и ШИМ не предусмотрено. Остается надеяться, что в следующих версиях BIOS компания Intel учтет этот недостаток. При этом есть здесь и положительный момент — BIOS материнской платы допускает широкие возможности по разгону процессора.

Остается добавить, что в следующем номере нашего журнала мы проведем сравнительное тестирование всего семейства двухъядерных процессоров Intel на ядре Presler, акцентировав внимание на их использовании в графических станциях для дизайнеров.

КомпьютерПресс 2'2006

Наш канал на Youtube

1999 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Популярные статьи
КомпьютерПресс использует