Kingston KVR533D2S4/2G
Компания Kingston Technology, Inc., хорошо известный в России производитель модулей памяти, карт флэш-памяти и USB-флэш-дисков, выпустила новые небуферизованные модули памяти для ноутбуков стандарта SO-DIMM DDR2, работающих на максимальной частоте 533 МГц и обладающих емкостью 2 Гбайт, — Kingston KVR533D2S4/2G.
Данные модули памяти отличаются высокой производительностью и оптимальным для ноутбуков потреблением энергии. Их рабочее напряжение составляет 1,8±0,1 В.
В качестве модулей памяти на обеих сторонах печатной платы на плашке PCB распаяно восемь микросхем Samsung K4T2G074QA-ZC05. Параметр CAS-латентности модулей, заявляемый производителем, составляет 4. При использовании модуля в ноутбуке при помощи утилиты EVEREST Ultimate Edition 2006 были проверены и другие параметры SPD.
Модули памяти определяются как Samsung M470T5669AZ0-CD5.
Для режима работы памяти DDR2-533 заявлено сразу два значения временных характеристик: в первом случае он составляет — 5-4-4-11 (CAS Latency-RAS to CAS delay-RAS Precharge-RAS Active), а во втором — 4-4-4-11. В режиме работы DDR2-400 модули памяти поддерживают тайминги 3-3-3-8.
Новые модули памяти, как и вся продукция Kingston, прошли полное тестирование. На них предоставляется бессрочная гарантия.
Основные характеристики Kingston KVR533D2S4/2G:
- 200-контактные 533-МГц модули DDR2-памяти;
- CAS-латентность — 4;
- битность — 64;
- рабочее напряжение — 1,8 В, что позволяет вдвое снизить энергопотребление.
