Компания Walton Chaintech представила новую память Apogee GT DDR2-1150/1200 в наборе 4 Гбайт

Компания Walton Chaintech представила новые модули памяти Apogee GT DDR2-1150 и 1200 в наборе 4 Гбайт (2x2 Гбайт). Они производятся на основе восьмислойной печатной платы и выполнены в соответствии со стандартом качества JEDEC. Новые модули Apogee GT DDR 1150 имеют пропускную способность 9,6 Гбит/с, что почти на 50% больше, чем у стандартного модуля памяти DDR2-800, имеющего пропускную способность 6,4 Гбит/с.

Модули Apogee GT DDR2-1150 и 1200 поддерживают двухканальный режим работы и характеризуются таймингами 5-5-5-15. Каждый модуль комплектуется фирменным радиатором Walton Chaintech с надписью Apogee GT. Наличие радиаторов гарантирует стабильность работы Apogee GT DDR2-1150 и 1200, а также позволяет уменьшить температуру в процессе разгона.

 

Память выполнена на восьмислойных печатных платах, специально разработанных для этих модулей и удовлетворяющих жестким требованиям стандартов JEDEC. На них размещаются чипы памяти в упаковке BGA, организация памяти модулей — 128M x 8. Выпуск модулей памяти Apogee GT DDR2-1150 и 1200 в парной упаковке объемом до 4 Гбайт позволяет достичь максимальной производительности при двухканальном режиме работы.

Как заявлено производителем, память Apogee GT DDR2-1150 и 1200 проходит жесточайший отбор и высокотемпературное тестирование.

КомпьютерПресс 6'2008