Samsung объявила о выпуске 8-гигабитного чипа оперативной памяти типа LPDDR4
Компания Samsung Electronics официально объявила о выпуске первой в индустрии микросхемы оперативной памяти типа LPDDR4 емкостью 8 гигабит, предназначенной для использования в мобильных устройствах. От чипов предыдущего поколения новинка отличается более высокой производительностью и энергоэффективностью. Микросхемы памяти LPDDR4 изготавливаются по технологическому процессу 20 нм и на данный момент обладают наиболее высоким показателем удельной плотности хранения данных среди подобных чипов. По словам разработчиков, внедрение оперативной памяти типа LPDDR4 позволит не только ускорить работу приложений и увеличить время автономной работы мобильных устройств, но и более эффективно использовать дисплеи со сверхвысоким разрешением.
В 8-гигабитных микросхемах памяти LPDDR4 применен новый интерфейс ввода-вывода – LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic). Данное решение было разработано в компании Samsung и впоследствии стандартизовано комитетом JEDEC для чипов памяти LPDDR4.
По мнению исполнительного вице-президента по продаже и маркетингу компьютерной памяти Samsung Electronics Ён-Хьюнь Джуна (Young-Hyun Jun), уже в ближайшем будущем память типа LPDDR4 получит широкое распространение в мобильных устройствах.
