Инженеры SK Hynix создали модуль ОЗУ типа DDR4 объемом 128 Гбайт

08.04.2014

Южнокорейская компания SK Hynix объявила о том, что ее сотрудникам удалось создать рабочий прототип первого в мире модуля оперативной памяти типа DDR4 объемом 128 Гбайт. Это вдвое превосходит емкость модулей, доступных в продаже на данный момент.

Согласно обнародованной информации, прототип создан на базе 8-гигабитных микросхем памяти DDR4, произведенных по техпроцессу 20 нм с использованием технологии межслойных соединений (Through-Silicon Via, TSV). Модуль работает на частоте 2133 МГц, а напряжение питания составляет 1,2 В. 64-разрядный интерфейс обмена данными позволяет достичь пропускной способности порядка 17 Гбайт/с.

SK Hynix DDR4

Приступить к серийному производству 128-гигабайтных модулей памяти DDR4 компания планирует в первой половине 2015 года. По мнению ряда аналитиков, широкое распространение модули оперативной памяти типа DDR4 получат не ранее 2016 года.

Наш канал на Youtube

1999 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Популярные статьи
КомпьютерПресс использует