Samsung приступила к выпуску 64-гигабайтных модулей RDIMM DDR4

27.08.2014

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о запуске в серийное производство первых в отрасли модулей оперативной памяти RDIMM типа DDR4 емкостью 64 Гбайт, в которых применена технология 3D TSV. Эти комплектующие предназначены для использования в высокопроизводительных серверах, обеспечивающих работу облачных приложений и сервисов.

На печатной плате новых модулей установлено 36 чипов, каждый из которых включает четыре 4-гигабитных кристалла памяти типа DDR4 DRAM. Эти микросхемы, характеризующиеся низким энергопотреблением, производятся по технологическому процессу класса 20 нм с использованием технологии 3D TSV — инновационного решения, которое позволяет соединять между собой вертикальные слои кристаллов. Для создания пакета кристаллы DDR4 стачиваются до толщины всего лишь в несколько десятков микрон, после чего в них создаются сотни мельчайших отверстий. Кристаллы соединяются один с другим посредством миниатюрных электродов, которые продеваются через эти отверстия. Благодаря применению технологии 3D TSV удалось удвоить производительность модулей памяти и в два раза снизить количество потребляемой электроэнергии.

Наш канал на Youtube

1999 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Популярные статьи
КомпьютерПресс использует