TDK продемонстрировала прототипы модулей STT-MRAM

07.10.2014

На открывшейся сегодня в Японии выставке CEATEC 2014 компания TDK продемонстрировала прототипы 8-мегабитных модулей магниторезистивной памяти с произвольным доступом (Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random-Access Memory, STT-MRAM). По мнению экспертов, со временем память типа MRAM может прийти на смену как динамической оперативной (DRAM), так и флэш­памяти.

Модули памяти MRAM обладают целым рядом важных достоинств. Они являются энергонезависимыми: как и в случае флэш-памяти, записанная информация сохраняется даже при отключении внешнего питания. Однако при этом ячейки памяти MRAM позволяют производить неограниченное количество циклов перезаписи. Кроме того, технология MRAM обеспечивает возможность достижения значительно более высоких скоростей чтения и записи данных по сравнению с современными образцами флэш-памяти.

По мнению представителей TDK, процесс адаптации технологии STT-MRAM для внедрения в серийно выпускаемые продукты займет от трех до пяти лет.

Наш канал на Youtube

1999 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Популярные статьи
КомпьютерПресс использует