Samsung приступила к серийному выпуску 8-гигабитных чипов DDR4 по техпроцессу 20 нм

21.10.2014

Компания Samsung расширяет номенклатуру компонентов, в которых применяются микросхемы, изготавливаемые по технологическому процессу 20 нм. Недавно южнокорейский производитель приступил к серийному выпуску 8-гигабитных микросхем памяти типа DDR4. Благодаря переходу на 20-нм техпроцесс удалось повысить такие важные показатели, как производительность и энергоэффективность.

Samsung RDIMM DDR4

В настоящее время эти микросхемы применяются в модулях регистровой памяти RDIMM DDR4 емкостью 32 Гбайт, которые предназначены для установки в серверы. В перспективе фирменная технология 3D TSV (through silicon via) позволит объединять 8-гигабиные чипы в пакеты, что, в свою очередь, откроет возможности по увеличению максимальной емкости модулей оперативной памяти типа DDR4 до 128 Гбайт.

Наш канал на Youtube

1999 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Популярные статьи
КомпьютерПресс использует