Разработка Intel и Micron позволит расширить возможности SSD-накопителей
Корпорации Intel и Micron Technology объявили о доступности новой технологии производства флэш-памяти 3D NAND. Данное решение позволит создавать микросхемы флэш-памяти с самой высокой в мире плотностью размещения ячеек. Благодаря этому удастся в три раза увеличить максимальную емкость накопителей, не изменяя их размеры.
Одной из ключевых особенностей технологии 3D NAND, разработанной специалистами Intel и Micron, является использование ячеек с плавающим затвором, которые ранее применялись только при производстве планарной флэш-памяти. Такой подход позволил повысить производительность и надежность накопителей. Дополнительными преимуществами являются увеличение энергоэффективности и снижение удельной стоимости хранения данных.
Новая технология 3D NAND позволяет компоновать 32 слоя ячеек памяти, обеспечивая емкость 256 и 384 Гбит для чипов типа MLC и TLC соответственно. Благодаря росту емкости микросхем появилась возможность значительно увеличить объем твердотельных накопителей. Так, устройство размером с пластинку жевательной резинки способно хранить 3,5 Тбайт данных, а SSD-накопители в 2,5-дюймовых корпусах — более 10 Тбайт.
Образцы микросхем флэш-памяти объемом 256 Гбит, изготовленных по технологии 3D NAND MLC, уже доступны отдельным партнерам Intel и Micron. Поставки пилотных партий микросхем емкостью 384 Гбит, произведенных по технологии 3D NAND TLC, стартуют нынешней весной. Запуск серийного производства этих компонентов запланирован на IV квартал текущего года. Появление первых коммерческих продуктов, оснащенных такими чипами, ожидается в 2016 году.
