Samsung показала несколько новинок на конференции Flash Memory Summit 2016
В разделе новостей официального веб-сайта Samsung Electronics опубликовано сообщение о новинках, представленных компанией в ходе мероприятия Flash Memory Summit 2016. В их числе — микросхемы флэш-памяти V-NAND четвертого поколения, высокопроизводительные твердотельные накопители для корпоративного сегмента и решения линейки Z-SSD.
В микросхемах флэш-памяти V-NAND четвертого поколения применяются вертикально соединенные пакеты из 64 слоев — это на 30% больше по сравнению с изделиями предыдущего поколения. Каждая ячейка способна хранить три бита данных. Плотность одного кристалла составляет 512 Гбит, а максимальная скорость передачи данных — 800 Мбит/с. Оба показателя являются рекордными для индустрии. Запуск серийного производства таких микросхем намечен на IV квартал текущего года.
В качестве примера применения новых чипов компания продемонстрировала прототип твердотельного накопителя емкостью 32 Тбайт. Он выполнен в 2,5-дюймовом корпусе и оборудован интерфейсом SAS. Внутри установлено 512 новых микросхем флэш-памяти V-NAND четвертого поколения. Серийный выпуск таких накопителей компания планирует начать в следующем году.
Еще один интересный экспонат, который Samsung привезла на конференцию Flash Memory Summit 2016, — ультракомпактный твердотельный накопитель объемом 1 Тбайт, выполненный в виде одной микросхемы с контактными площадками типа BGA. В ее корпусе объединены флэш-память V-NAND, контроллер собственной разработки и буферная память типа LPDDR4. Заявленные значения максимальной скорости чтения и записи данных в последовательном режиме составляют 1500 и 900 Мбайт/с соответственно. По мнению разработчиков, подобные накопители найдут применение в планшетных ПК, тонких ноутбуках и гибридных устройствах.
