Toshiba представила энергонезависимую память XL-Flash класса хранилища
Компания Toshiba Memory Europe (TME) сообщила о выпуске нового решения в области (Storage Class Memory, SCM) — XL-Flash. Оно создано на основе собственной инновационной технологии TME — 3D-флеш-памяти BiCS Flash с размещением 1 бита данных в ячейке (SLC) — и обеспечивает низкую задержку и высокую производительность, востребованные в центрах обработки данных и корпоративных хранилищах.
Решение XL-Flash способно сохранять содержимое аналогично флэш-памяти типа NAND и устраняет разрыв в производительности между динамической (DRAM) памятью и флэш-памятью NAND. Энергозависимая память (в том числе DRAM) обеспечивает необходимую скорость доступа к данным, однако это связано с высокими затратами. Когда стоимость DRAM-решений в расчете на бит данных становится слишком высокой, а возможности масштабирования сходят на нет, SCM-уровень в иерархии запоминающих устройств позволяет решить эту проблему, предлагая экономически эффективное решение в виде энергонезависимой флэш-памяти NAND с высокой плотностью хранения данных.
Занимая нишу между DRAM и флэш-памятью типа NAND, решение XL-Flash обеспечивает рост скорости, снижение задержки и увеличение емкости устройств хранения данных при более низкой стоимости по сравнению с традиционной DRAM-памятью. Аналитическая компания IDC прогнозирует расширение рынка SCM-устройств до более чем 3 млрд долл. в 2022 году.
Энергонезависимая память XL-Flash первоначально будет доступна в формате твердотельных накопителей, однако впоследствии может быть реализована и в виде компонентов, подключаемых к каналу памяти на шине DRAM, — например таких, как двухрядных модулей NVDIMM.
На данный момент создана технология производства кристаллов XL-Flash емкостью 128 Гбит, при этом их количество в одной микросхеме может варьироваться от 2 до 8. Задержка при чтении данных составляет менее 5 мкс, что примерно в 10 раз быстрее по сравнению с ныне выпускаемыми образцами флэш-памяти TLC NAND.
«XL-Flash — самое высокопроизводительное выпускаемое сегодня NAND-решение благодаря нашей флэш-памяти BiCS Flash, работающей в режиме SLC, — рассказал вице-президент компании Toshiba Memory Europe Аксель Штёрманн (Axel Stoermann). — Размещая в ячейке только один бит, нам удалось значительно повысить производительность. А поскольку память XL-Flash основана на проверенных технологиях, которые уже используются в серийном производстве, применяя XL-Flash в качестве решения в сфере памяти класса хранилища наши клиенты смогут сократить время вывода продукции на рынок».
Поставки ознакомительных образцов энергонезависимой памяти XL-Flash начнутся в сентябре, а начало серийного производства запланировано на 2020 год.
