Тестирование памяти DDR2 SDRAM
A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52)
A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z)
Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4)
Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5)
В тестовой лаборатории «КомпьютерПресс» проведено тестирование одиннадцати парных модулей памяти DDR2. Были протестированы следующие модули: A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52), A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z), Corsair CM2X512-8000UL, GEIL GX25125300X, Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4), Kingston HyperX KHX7200D2/512, OCZ PC2-4200 (Gold Edition), Patriot PSD251266781, Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), Super Talent T533UX1GB и Transcend TS64MLQ64V5J.
Уже ни для кого не секрет, что на рынке SDRAM-памяти наметился новый лидер — DDR2 SDRAM. Успеху стандарта DDR2 SDRAM способствует не только успешный дебют платформ, основанных на наборах микросхем системной логики Intel, но и поддержка данного типа памяти другими чипсетами. Популярности стандарту добавил и тот факт, что к этому типу памяти вскоре планируется перевести не только Intel-, но AMD-платформы.
В настоящем тестировании представлены модули памяти стандарта DDR2 SDRAM различных спецификаций, ориентированные как на обычных пользователей, так и на энтузиастов. Забегая вперед, подчеркнем, что результаты тестирования представленных модулей стоит рассматривать вкупе с конкретным чипсетом и конкретной моделью материнской платы, поскольку на других платформах некоторые модули памяти могут проявить себя как с лучшей, так и с худшей стороны. Кроме того, некоторые полученные результаты, продемонстрированные памятью, были заведомо предсказуемы. Особенно это касается модулей памяти, ориентированных на энтузиастов. Производительность таких модулей памяти мало чем отличается, поскольку разброс результатов не очень заметный. А вот разгонный потенциал такой памяти, по нашему мнению, — более важная характеристика, нежели производительность, поскольку доставляет моральное удовлетворение ее обладателю.
Методика тестирования
тенд для тестирования оперативной памяти DDR2 имел следующую конфигурацию:
- процессор — Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 (тактовая частота 3,2 ГГц, кэш L2 4 Мбайт);
- частота FSB — 1066 МГц;
- материнская плата — Intel D975XBX;
- чипсет — Intel 975;
- видеокарта — ATI Radeon X800GT.
Тестирование проводилось под управлением операционной системы Windows Professional SP2.
Материнская плата на чипсете Intel D975XBX была выбрана не случайно, так как позволяет менять частоту памяти независимо от частоты процессора. При этом тактовая частота системной шины остается неизменной, а частота памяти меняется за счет применения соответствующих коэффициентов.
Память тестировалась в двухканальном режиме, для чего использовались парные модули памяти.
При частоте памяти DDR667 максимальная (теоретическая) пропускная способность памяти в двухканальном режиме составляет 2х667 МГц х 8 байт = 10,6 Гбайт/с. Однако на практике столь высокое значение пропускной способности памяти недостижимо, и прежде всего потому, что ограничивающим фактором в данном случае будет пропускная способность процессорной шины, которая при частоте FSB 1066 МГц составляет 1066 МГц х 8 байт = 8,5 Гбайт/с.
Для тестирования памяти применялся тестовый пакет RightMark Memory Analyzer v3.62, включающий следующие пресеты:
- RAM Performance Stream;
- Average Memory Bandwidth, SSE2;
- Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2;
- Average RAM Latency;
- Minimal RAM Latency, 16 Mbyte Block, L1 Cache line.
С подробным описанием каждого пресета можно ознакомиться на сайте www.rightmark.org или www.ixbt.com.
Кроме того, использовался набор бенчмарков, входящих в пакет 3DMark 2005. Для увеличения нагрузки на процессор и память при тестировании устанавливалось различное разрешение, а драйвер видеокарты настраивался на максимальную производительность. Также применялся скрипт для работе в пакете Adobe Photoshop CS2, рекомендованный компанией Intel.
Тестирование памяти проводилось в три этапа. На первом этапе память тестировалась в штатном режиме, то есть с таймингами по умолчанию (by SPD).
Для того чтобы оценить потенциальные возможности модулей памяти по разгону, на втором этапе проводилось тестирование на частоте 667 МГц, но в режиме с наименьшими таймингами, которые определяются методом проб и ошибок. Минимальные тайминги подбирались таким образом, чтобы это не отражалось на стабильности работы системы в целом. При разгоне памяти также применялось повышенное до 2,1 В напряжение питания модулей памяти.
На третьем этапе производился разгон памяти по тактовой частоте, после чего подбирались наименьшие тайминги, при которых сохраняется стабильная работа модулей памяти в двухканальном режиме. В данном случае также использовалось повышенное напряжение питания модулей памяти.
 |
|
Выбор редакции
се представленные для тестирования модули были условно разделены на три группы в соответствии с их спецификацией. В первую группу попали модули, частота работы которых составляет 533 МГц, во вторую группу — модули с частотой 667 МГц, а в третьей группе оказались модули с частотой работы 800 МГц и более.
Поскольку описание модулей дано в алфавитном порядке, здесь мы приведем распределение модулей по группам. Первая группа: A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52), Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4), OCZ PC2-4200 (Gold Edition), Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), Super Talent T533UX1GB и Transcend TS64MLQ64V5J; вторая группа: GEIL GX25125300X и Patriot PSD251266781; третья група: A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z), Corsair CM2X512-8000UL и Kingston HyperX KHX7200D2/512.
Знак «Выбор редакции» присуждался одному комплекту модулей памяти в каждой группе.
В первой группе знаком «Выбор редакции» мы отметили комплект модулей памяти Transcend TS64MLQ64V5J; во второй — Patriot PSD251266781; в третьей — Corsair CM2X512-8000UL.
|
|
Участники тестирования
A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52)
Компания A-DATA Technology Co, Ltd, специализирующаяся на выпуске памяти любых типов, представила несколько видов памяти стандарта DDR2 SDRAM, некоторые из них приняли участие в нашем тестировании.
Первый комплект — модуль памяти A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52 (DDR2 533(4) 512MX8)), отличительной особенностью которого является использование радиаторов. Радиаторы, выполненные из алюминия, установлены с обеих сторон модуля, что способствует эффективному отводу тепла. Цвет исполнения радиаторов — красный. Монтаж чипов памяти выполнен на одной стороне печатной платы.
Каждый модуль A-DATA Vitesta DDR2 533 обладает емкостью 512 Мбайт, так как основан на восьми микросхемах по 64 Мбайт. В качестве микросхем памяти применяются чипы с маркировкой Corsair 64M8CFE PS1000546.
В соответствии с технической документацией на данные модули памяти при частоте 533 МГц они поддерживают тайминги 4-4-4-11 (рис. 1). Именно с такими таймингами и на штатной частоте проводилось первоначальное тестирование модулей памяти A-DATA Vitesta DDR2 533.
Рис. 1. Спецификация памяти A-DATA Vitesta DDR2 533 и ее тайминги, прошитые в SPD
Как выяснилось в ходе тестирования, минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули при работе в двухканальном режиме, существенно ниже определяемых по умолчанию, а именно: 4-3-3-10. Кроме того, модули памяти разгоняются вплоть до частоты 800 МГц с таймингами 5-5-5-15, правда при этом наблюдается не совсем стабильная работы системы. При стабильной работе максимальная частота, которую нам удалось получить от данных моделей в ходе тестирования, составляет 783 МГц (5-5-5-15).
Результаты тестирования модулей A-DATA Vitesta DDR2 533 с использованием тестовых пакетов представлены в табл. 1.
Из результатов тестирования модулей A-DATA Vitesta DDR2 533 видно, что уменьшение таймингов приводит к увеличению пропускной способности памяти и к снижению латентности. При таймингах по умолчанию пропускная способность составляет 7013,17 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2), в то время как при уменьшенных таймингах 4-3-3-10 она увеличивается до 7120,91 Мбайт/с, то есть на 1,5%. Кроме того, в реальных приложениях наблюдается незначительный прирост производительности.
При увеличении тактовой частоты памяти стабильность работы сохраняется и также наблюдается повышение пропускной способности памяти и снижение латентности. В данном случае можно говорить о том, что существенно большее влияние на производительность памяти оказывает увеличение тактовой частоты, нежели уменьшение таймингов памяти.
A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z)
Еще один комплект от компании A-DATA Technology Co, Ltd — модуль памяти A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z (DDR2 800(5) 512MX16)), который позиционируется производителем как ориентированный на энтузиастов, поскольку он действительно является высокоскоростным и способен полностью раскрыть потенциал данного типа памяти. Кроме того, этот модуль обладает разгонным потенциалом по таймингам.
Отличительной особенностью модулей памяти A-DATA Vitesta DDR2 800, как и вышеописанных модулей, является использование радиаторов. Радиаторы A-DATA Vitesta DDR2 800 абсолютно идентичны радиаторам, применяемым в модулях A-DATA Vitesta DDR2 533.
Каждый представленный модуль A-DATA Vitesta DDR2 800 обладает емкостью 512 Мбайт —восемь микросхем по 64 Мбайт. Рабочее напряжение модулей составляет 1,85±0,1 В. Модули удовлетворяют требованиям стандарта JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).
Модули поддерживают три возможных значения задержки сигнала CAS (Column Address Strobe) — 5, 4 и 3. Максимальному значению соответствует частота работы 400 МГц (режим работы DDR2-800) при схеме таймингов 5-5-5-18. В случае уменьшенной задержки CAS, равной 4 (режим работы DDR2-667), частота работы составляет 333,3 МГц, при этом схема таймингов 4-5-5-15. И наконец, при задержке CAS, равной 3 (соответствует режиму работы DDR2-533), схема таймингов выглядит следующим образом: 4-4-4-12 (рис. 2).
Рис. 2. Спецификация памяти A-DATA Vitesta DDR2 800 и ее тайминги, прошитые в SPD
В ходе тестирования выяснилось, что минимальные тайминги при максимальной частоте 800 МГц существенно ниже определяемых по умолчанию и составляют 4-4-4-12. Именно этот факт и позволил нам попробовать еще немного разогнать память по частоте, правда при этом слегка ухудшив тайминги. Модули памяти разогнались до частоты 825 МГц с таймингами 5-5-5-15. Заметим, что синтетические тесты в этом режиме проходят стабильно, а вот реальные приложения вызывают периодические сбои. Поэтому мы не рекомендуем разгонять данные модули по частоте выше 800 МГц. Кроме того, подчеркнем, что в режиме работы с частотой 825 МГц не только ухудшается латентность памяти из-за загрубления таймингов, но и наблюдается ухудшение результатов пропускной способности памяти.
Результаты тестирования модулей A-DATA Vitesta DDR2 800 с использованием тестовых пакетов представлены в табл. 2.
В целом же из результатов видно, что с увеличением частоты работы памяти (с наименьшими таймингами) увеличивается пропускная способность памяти и улучшается латентность. Показатели несинтетических тестов также улучшаются, правда не всегда. Например, в тесте для программного пакета лучший результат был продемонстрирован при частоте работы памяти 667 МГц с задержками 4-4-4-12.
Corsair CM2X512-8000UL
Модули Corsair CM2X512-8000UL относятся к высокопроизводительной серии XMS2. Компания-производитель позиционирует данные модули как высокопроизводительные и ориентированные на энтузиастов. Традиционно модули этой серии оснащены радиаторами черного цвета. Емкость каждого модуля составляет 512 Мбайт, поскольку они имеют организацию 8х64 Мбайт. Как следует из технической документации, модули поддерживают частоту 1000 МГц, что, конечно, впечатляет. Но заметим, что данная частота не является стандартной и вообще не очень понятно, на каких системах сегодня можно достичь такой частоты. Тем не менее наше тестирование продемонстрировало, что модули обладают прекрасным потенциалом и демонстрируют одни из лучших результатов.
В SPD модулей памяти зашито всего два значения частоты с соответствующими таймингами. При частоте 540 МГц они гарантированно поддерживают тайминги 4-4-4-13, при частоте 800 МГц — тайминги 5-5-5-18 (рис. 3). Материнская плата определяет тайминги по умолчанию для данных модулей несколько иначе. Так, при частоте в 667 МГц тайминги, определяемые материнской платой, выглядят следующим образом: 5-5-5-15. Именно с такими таймингами и на штатной частоте 667 МГц проводилось первоначальное тестирование модулей памяти Corsair CM2X512-8000UL. В дальнейшем также были опробованы как пониженные, так и повышенные частоты работы памяти при различных таймингах. На нашем стенде удалось добиться максимальной частоты работы памяти, которая составила 936 МГц при таймингах 5-5-5-15 и увеличенном до 1,9 В напряжении питания.
Рис. 3. Спецификация памяти Corsair CM2X512-8000UL и ее тайминги, прошитые в SPD
Как выяснилось в ходе тестирования, модули памяти прекрасно разгоняются до высоких частот без ущерба для стабильности работы. Нам не удалось достичь максимальной частоты работы памяти 1000 МГц только из-за невозможности добиться стабильной работы системы в целом. На максимальной частоте работы памяти тактовая частота процессора составила 3744 МГц.
Результаты тестирования модулей Corsair CM2X512-8000UL с использованием тестовых пакетов представлены в табл. 3.
Как следует из результатов тестирования модулей Corsair CM2X512-8000UL, уменьшение таймингов приводит к существенному увеличению пропускной способности памяти и к снижению латентности. Так, максимальная пропускная способность памяти при таймингах 4-4-4-13 и частоте 533 МГц составляет 6954,62 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2). В то же время при уменьшении таймингов до 3-2-2-5 пропускная способность увеличивается до 7625,94 Мбайт/с, то есть на 9,7%.
Увеличение тактовой частоты до 800 МГц с одновременным снижением латентности не влияет на стабильность работы памяти и способствует как повышению пропускной способности памяти, так и улучшению параметров латентности. В целом же можно сказать, что уменьшение таймингов памяти с одновременным увеличением частоты работы памяти оказывает положительное влияние на производительность памяти. Тестирование памяти Corsair CM2X512-8000UL в несинтетических тестах дало примерно такие же результаты, что и в тесте RightMark Memory Analyzer v3.62.
GEIL GX25125300X
Модули памяти GEIL GX25125300X емкостью по 512 Мбайт имеют организацию 8х64 Мбайт. Они оснащены алюминиевым радиатором с голографической наклейкой, на которой приводится вся информация о модулях. В соответствии с технической документацией модули поддерживают частоту 667 МГц с таймингами 4-4-4-12. А вот материнская плата определяет тайминги по умолчанию для данных модулей несколько иначе:
- CAS Latency (tCL) — 5;
- RAS to CAS delay (tRCD) — 5;
- Row Precharge (tRP) — 5;
- Active to Precharge (tRAS) — 15.
Кроме того, как видно из рис. 4, именно эти значения и прошиты в SPD памяти.
Рис. 4. Спецификация памяти GEIL GX25125300X и ее тайминги, прошитые в SPD
Первоначально тестирование памяти GEIL GX25125300X проводилось с таймингами, определяемыми материнской платой в автоматическом режиме на штатной частоте 667 МГц в двухканальном режиме. В дальнейшем были опробованы другие частоты работы памяти с различными таймингами.
В ходе тестирования выяснилось, что минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули при работе в двухканальном режиме, полностью соответствуют заявляемым и считаются наилучшими для частоты 667 МГц.
Также нам удалось разогнать модули памяти GEIL GX25125300X до частоты, превышающей 800 МГц, без ущерба для стабильности работы, причем при данной частоте тайминги составили 5-5-5-15.
Результаты тестирования модулей GEIL GX25125300X с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 4.
Из результатов тестирования модулей GEIL GX25125300X видно, что при уменьшении таймингов и неизменной частоте наблюдается увеличение показателей пропускной способности памяти и уменьшение ее латентности. В то же время увеличение тактовой частоты с 667 до 825 МГц при одновременном ухудшении таймингов приводит к улучшению результатов только в синтетических тестах, а в реальных приложениях происходит незначительное ухудшение результатов. По нашему мнению, оптимальным режимом работы для данных модулей памяти в описанной системе является режим работы на частоте 800 МГц, при котором улучшаются все показатели.
Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4)
В настоящее время Kingmax предлагает широкий ассортимент модулей памяти DDR2 SDRAM, в числе которых и модули KLBC28F-A8KH4 серии Mars. KLBC28F-A8KH4 — это 240-контактные модули небуферизованной памяти DDR2 PC4300, или DDR2-533, объем которых составляет 512 Мбайт. Основой модулей KLBC28F-A8KH4 являются восемь 64-мегабайтных микросхем с маркировкой Kingmax KKEA88H4NAU.
Как выяснилось в процессе тестирования, тайминги по умолчанию (by SPD) для модулей памяти KLBC28F-A8KH4 составляют последовательность 4-4-4-12 (рис. 5).
Рис. 5. Спецификация памяти Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4) и ее тайминги, прошитые в SPD
Минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули памяти на тактовой частоте 533 МГц, составляют последовательность 4-4-4-12. Именно эти минимальные тайминги и прошиты в SPD памяти. Кроме того, модули памяти разгоняются до частоты 800 МГц без ущерба для стабильности работы. Правда, при данной частоте тайминги приходится ухудшать до значений 5-5-5-15. А вот при частоте работы 667 МГц тайминги имеют минимальную последовательность 3-4-3-5.
Результаты тестирования модулей Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4) с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 5.
Как следует из результатов тестирования модулей Kingmax Mars DDR2-533, тайминги по умолчанию (by SPD) являются сильно завышенными. При данной частоте наименьшие тайминги, которых нам удалось добиться, составляют 3-3-2-4. Уменьшение таймингов до таких значений не оказывает влияния на стабильность работы модулей памяти. Наилучшим же режимом для модулей, по нашему мнению, является режим работы при частоте 667 МГц с таймингами 3-4-3-5. В этом режиме наблюдается существенное увеличение пропускной способности памяти и снижение ее латентности. Так, максимальная пропускная способность памяти при частоте 533 МГц и таймингах по умолчанию составляет 7027,22 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2). В то же время при уменьшении таймингов до 3-3-2-4 пропускная способность возрастает до 7476,67 Мбайт/с, а при увеличении частоты до 667 МГц и таймингах 3-4-3-5 она оказывается еще больше и составляет 7545,39, что превышает первое значение на 7,4 %.
Увеличение тактовой частоты до 800 МГц не оказывает влияния на стабильность работы памяти. Заметим, что прирост производительности наблюдается только в синтетических тестах. Так что о существенном росте производительности памяти в целом в данном случае говорить не приходится. Кроме того, это лишний раз подтверждает, что производительность памяти в существенно большей степени зависит от изменения таймингов памяти, нежели от повышения тактовой частоты.
Kingston HyperX KHX7200D2/512
Компания Kingston представлена в нашем тестировании скоростными модулями DDR2 SDRAM — Kingston HyperX KHX7200D2/512, которые позиционируются для энтузиастов и рассчитаны на использование в системах с двухканальным контроллером памяти. Комплект традиционно состоит из двух идентичных модулей DIMM, каждый из которых имеет емкость 512 Мбайт.
Модули принадлежат к серии HyperX, специально разработанной компанией для применения в оверклокерских системах. Отличительной особенностью модулей семейства HyperX является наличие алюминиевых радиаторов, анодированных в синий цвет, с нанесенными на них логотипами компании и серии. Радиаторы закрывают модуль с двух сторон. Использование подобных радиаторов характерно для многих производителей, применяющих подобное решение для своих высокопроизводительных модулей памяти. На радиаторах имеется также наклейка-гарантия с информацией о принадлежности к серии модулей памяти. Единственным техническим параметром, нанесенным на наклейку, является увеличенное до 1,9 В напряжение.
В соответствии с технической спецификацией модули имеют штатную частоту 900 МГц (PC2-7200). А вот последовательность задержек нам выяснить так и не удалось.
В основе моделей Kingston HyperX KHX7200D2/512 лежат чипы от компании Infineon, маркировка которых имеет следующий вид: HYB18T512800AF3S.
В SPD модулей памяти Kingston HyperX KHX7200D2/512 зашиты три значения частоты с соответствующими таймингами. Первоначально тестирование проводилось с частотой и таймингами, определяемыми в автоматическом режиме, при котором частота составила 667 МГц, а последовательность таймингов 5-5-5-15. Материнская плата определяет тайминги для данных модулей точно так же.
Помимо таймингов в SPD модулей указаны время производства модулей и их серийный номер. Заметим, правда, что определяемая программой спецификация совсем не соответствует реальной (рис. 6).
Рис. 6. Спецификация памяти Kingston HyperX KHX7200D2/512 и ее тайминги, прошитые в SPD
Частота, при которой память работает стабильно, равна 800 МГц. Тайминги составили следующую последовательность: 4-5-4-8. Именно при такой частоте и с этими таймингами наблюдаются максимальные показатели во всех тестах — как в синтетических, так и в реальных приложениях.
В целом о памяти Kingston HyperX KHX7200D2/512 можно сказать, что уменьшение таймингов с одновременным увеличением частоты работы памяти оказывает положительное влияние на производительность памяти.
Результаты тестирования модулей Kingston HyperX KHX7200D2/512 с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 6.
OCZ PC2-4200 (Gold Edition)
Модули памяти OCZ PC2-4200 (Gold Edition) имеют объем по 512 Мбайт каждый и оснащены радиаторами, анодированными под золото, что отражено в названии модулей. Ориентированы эти модули памяти на энтузиастов. Радиаторы, что традиционно в таких случаях, служат для эффективного отвода тепла с поверхности чипов памяти.
В соответствии с технической спецификацией тайминги этой памяти составляют последовательность 3-3-3-8 при штатной частоте 533 МГц. В процессе тестирования материнская плата Intel D975XBX по умолчанию устанавливает несколько иные тайминги, которые, кстати, и прошиты в SPD памяти. Так, задержки выглядят следующим образом (рис. 7):
- CAS Latency (tCL) — 4;
- RAS to CAS delay (tRCD) — 4;
- Row Precharge (tRP) — 4T;
- Active to Precharge (tRAS) — 12.
Рис. 7. Спецификация памяти OCZ PC2-4200 (Gold Edition) и ее тайминги, прошитые в SPD
Первоначально тестирование модулей осуществлялось с таймингами, определяемыми в автоматическом режиме. В дальнейшем были опробованы тайминги, заявляемые производителем, а также недокументированные режимы работы памяти. Например, память прекрасно разгоняется до частоты 800 МГц с таймингами 5-5-5-15, а на частоте 667 МГц задержки можно понизить до значений 4-4-4-12.
Результаты тестирования модулей OCZ PC2-4200 (Gold Edition) с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 7.
Как следует из результатов тестирования модулей OCZ PC2-4200 (Gold Edition), память очень хорошо разгоняется и по таймингам, и по тактовой частоте. Оптимальный режим работы памяти OCZ PC2-4200 (Gold Edition), по нашему мнению, достигается на частоте 800 МГц, пусть даже и с пониженными задержками. В этом режиме наблюдается повышение результатов во всех тестах, что и дает нам основание рекомендовать именно этот режим работы.
Patriot PSD251266781
Модули памяти Patriot PSD251266781, производимые компанией PDP Systems, имеют емкость по 512 Мбайт каждый и относятся к типу односторонних модулей памяти DDR2-667. В них используются чипы памяти производства Micron Technology.
В соответствии с технической спецификацией для разных тактовых частот применяются и различные задержки. Материнская плата Intel D975XBX определяет данные модули памяти как DDR2-667 и по умолчанию устанавливает для них тайминги 5-5-5-15. В процессе тестирования при частоте 667 МГц методом проб и ошибок были подобраны минимальные задержки 3-3-3-4 при сохранении стабильности работы. По умолчанию устанавливаются тайминги, которые намного ниже указанных в технической документации. Для других частот (выше и ниже штатной) также были подобраны наименьшие тайминги. Так, для частоты 533 МГц задержки составили 3-3-3-4, а для частоты 800 МГц — 5-4-4-8. При этих значениях для сравнения модули также были протестированы с другими модулями, представленными в тестировании.
Максимальная частота, до которой удается разогнать данные модули памяти, составляет 800 МГц, при этом даже не приходится ухудшать тайминги.
Результаты тестирования модулей Patriot PSD251266781 с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 8.
Сравнение результатов тестирования модулей памяти Patriot PSD251266781 на тактовой частоте 533 МГц с таймингами 3-3-3-4 с результатами тестирования на тактовой частоте 667 МГц с точно такими же таймингами показывает довольно ощутимый прирост производительности почти во всех тестах. Впрочем, такое положение вещей вполне очевидно. Но совсем удивительно то, что память демонстрирует лучшие результаты во всех тестах на частоте 800 МГц с чуть более худшими таймингами. Именно этот факт позволяет рекомендовать не использовать память Patriot PSD251266781 в штатном режиме, а разгонять ее как при помощи увеличения частоты работы, так и путем уменьшения задержек.
Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5)
Модули памяти Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), в отличие от других моделей, представленных в тестировании, традиционно не имеют радиаторов. Непосредственно на двустороннем модуле памяти расположено 16 чипов (по восемь с каждой стороны) Samsung K4T56083QF-GC05.
В соответствии с технической документацией память Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5) поддерживает различные тайминги при частоте работы 533 МГц. Наименьшие тайминги по умолчанию для данных модулей составляют последовательность 4-4-4-11. Такие же задержки определяются материнской платой Intel D975XBX в автоматическом режиме (рис. 8).
Рис. 8. Спецификация памяти Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5) и ее тайминги, прошитые в SPD
Минимальные тайминги, которые удается подобрать для данных модулей на частоте 533 МГц, составляют 3-3-4-4, из чего можно сделать вывод, что тайминги по умолчанию немного завышены. По частоте модули также прекрасно разгоняются. Нам удалось добиться максимальной частоты работы памяти 687 МГц при сохранении стабильности. Задержки при данной частоте составляют 5-5-5-15.
Результаты тестирования модулей Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5) с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 9.
Как следует из результатов тестирования модулей Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), память достаточно хорошо разгоняется по тактовой частоте. Однако при уменьшенных задержках на частоте 667 МГц память демонстрирует наилучший прирост в производительности без ущерба для стабильности работы.
Super Talent T533UX1GB
Модули памяти Super Talent T533UX1GB оснащены емкостью по 512 Мбайт каждый и имеют по восемь чипов памяти K4T51083QC производства Samsung, распаянных с одной стороны печатной платы. Организация модулей — 64Мx8. В них не предусмотрены какие-либо радиаторы, отводящие тепло от чипов памяти.
К сожалению, из технических характеристик на модулях памяти указан только параметр CAS Latency (tCL), равный 4. Судя по технической информации к чипам памяти, они имеют тайминги 4-4-4 при частоте 533 МГц и напряжении 1,8 В. Кроме того, данные чипы поддерживают и другие частоты с различными задержками. Так, следуя технической спецификации именно к чипам памяти от Samsung, память может функционировать на частоте 667 МГц с задержками 5-5-5 и на частоте 800 МГц с точно такими же задержками. Поэтому в том, что модули прекрасно работают на указанных частотах, нет ничего удивительного.
Материнская плата Intel D975XBX определяет модули в автоматическом режиме как DDR2-667 и устанавливает для них следующие тайминги:
- CAS Latency (tCL) — 5;
- RAS to CAS delay (tRCD) — 5;
- Row Precharge (tRP) — 5;
- Active to Precharge (tRAS) — 15.
Минимальные тайминги, которые удается подобрать для данных модулей на частоте 667 МГц, составляют 4-4-4-12, из чего можно сделать вывод, что тайминги по умолчанию сильно завышены и в модулях заложен неплохой потенциал для разгона по таймингам без ущерба для стабильности работы.
Максимальная частота, до которой удается разогнать данные модули памяти, составляет 800 МГц, однако повышение частоты возможно только за счет увеличения задержек памяти до значения 5-5-5-15. Наилучшие показатели память демонстрирует в недокументированном режиме на частоте 800 МГц при значениях задержек 5-5-5-15.
Результаты тестирования модулей Super Talent T533UX1GB с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 10.
Как видно из результатов тестирования модулей Super Talent T533UX1GB, память достаточно хорошо разгоняется по частоте, а вот разгон по таймингам не очень высокий. Тем не менее увеличение частоты работы памяти приводит к улучшению результатов как в синтетических тестах, так и в реальных приложениях. Поэтому наилучшим для модулей памяти будет недокументированный режим работы на частоте 800 МГц, пусть даже и с наихудшими задержками.
Transcend TS64MLQ64V5J
Модули памяти Transcend TS64MLQ64V5J емкостью по 512 Мбайт каждый относятся к типу односторонних модулей DDR2-667, и в них используются чипы памяти производства Micron Technology. В отличие от большинства других модулей, чипы памяти не закрыты радиаторами.
В соответствии с технической документацией модули памяти Transcend TS64MLQ64V5J при частоте 533 МГц по умолчанию имеют тайминги 4-4-4-11. Материнская плата по умолчанию устанавливает для модулей памяти точно такие же задержки (рис. 9).
Рис. 9. Спецификация памяти Transcend TS64MLQ64V5J и ее тайминги, прошитые в SPD
В ходе тестирования было выявлено, что на частоте 533 МГц можно установить тайминги ниже значений, указанных в документации, — 3-3-3-4. Максимальная частота, до которой удается разогнать данные модули памяти, составляет 775 МГц, однако повышение частоты возможно только за счет увеличения задержек памяти до значения 5-5-5-15. Но наилучшие показатели память демонстрирует в недокументированном режиме на частоте 667 МГц при довольно хороших значениях задержек (4-3-3-4).
Результаты тестирования модулей Transcend TS64MLQ64V5J с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 11.
Анализ результатов тестирования модулей памяти Transcend TS64MLQ64V5J показывает, что увеличение тактовой частоты памяти при одновременном повышении задержек приводит к ухудшению результатов тестирования. А вот снижение таймингов памяти и установка максимально возможной частоты работы позволяют улучшить производительность памяти, причем довольно ощутимо.
Редакция выражает признательность:
|
