Модули памяти DDR3 SDRAM KVR1066D3N7K2/2G от компании Kingston Technology

После успешного дебюта платформ, основанных на новых наборах микросхем системной логики Intel P35/G33 Express, стало понятно, что рынок системной памяти в очередной раз готовится к смене фаворита, в роли которого ныне выступает память стандарта DDR2 SDRAM. Это событие неизбежно, поскольку появившаяся платформа от Intel предусматривает, помимо прочего, переход на новый стандарт памяти — DDR3 SDRAM. Компания Kingston Technology, являющаяся одним из крупнейших производителей памяти, естественно, не могла оставить без внимания появление нового вектора спроса в этом секторе компьютерного рынка. Уже сейчас она предлагает широкий выбор модулей памяти DDR3 SDRAM, в числе которых есть и комплект KVR1066D3N7K2/2G.

Комплект для двухканальных решений Kingston KVR1066D3N7K2/2G входит в линейку продуктов ValueRAM, ориентированных на массовый сегмент рынка. Он включает два 240-контактных модуля небуферизованной памяти PC3-8500 DDR3 SDRAM, или DDR3-1066 SDRAM, объем каждого из которых составляет 1024 Мбайт. Основой для модулей KVR1066D3N7K2/2G послужили шестнадцать 512-мегабитных (64Мx8 бит) микросхем Elpida J5308BASE-AE-E, представляющих собой чипы, выполненные в 64-контактной FBGA (µBGA) упаковке и имеющие восьмибанковую организацию.

Эти микросхемы памяти производятся с использованием технологии ODT (On-Die Termination), то есть имеют внутренние терминаторы, что позволяет свести к минимуму отражение сигналов, а следовательно, снизить вероятность ошибки при передаче данных. Заявленные производителем временные характеристики, соответствующие стандарту JEDEC для памяти DDR3-1066 SDRAM, — 7-7-7 (CAS Latency — RAS to CAS delay — RAS Precharge). Именно эти значения хранятся в чипе SPD (Serial Presence Detect) данных модулей (рис. 1).

Рис. 1. Данные SPD-модулей памяти
Kingston KVR1066D3N7K2/2G

Интересно, что прошивка SPD содержит также тайминги для нестандартных режимов работы с частотой шины памяти 457 и 609 МГц.

Напряжение питания этих модулей составляет 1,5 ± 0,075 В.

Для того чтобы на практике оценить, на что способны модули памяти Kingston KVR1066D3N7K2/2G от Kingston Technology, мы провели небольшое тестирование, в ходе которого данные модули памяти работали не только в режимах, соответствующих заявленным штатным параметрам, но и при более агрессивных настройках частоты и таймингов. Для проведения этого тестирования использовался стенд следующей конфигурации:

• процессор — Intel Core 2 Extreme QX6850 (тактовая частота — 3 ГГц, кэш L2 — 8192 Кбайт);

• материнская плата — MSI P35 Neo Combo;

• чипсет — Intel P35 Express;

• видеокарта — Sapphire RADEON X1900XTX.

Тестирование проводилось под управлением операционной системы Windows Professional SP2 с применением ряда тестов из состава популярных синтетических тестовых пакетов SiSoftware Sandra, ScienceMark 2.0 и Right Mark Memory Analyzer. Помимо этого для оценки стабильности работы системы при изменении рабочих характеристик памяти использовался тест FutureMark 3Dmark 2006.

В ходе испытаний выяснилось, что, несмотря на свои заурядные на первый взгляд рабочие характеристики и простецкий внешний вид, модули памяти Kingston KVR1066D3N7K2/2G имеют отменные оверклокерские задатки. Так, нам без особого труда удалось добиться стабильной работы этой памяти с таймингами 5-6-6 (CAS Latency — RAS to CAS delay — RAS Precharge), и это при заявленных 7-7-7 (рис. 2)!

Рис. 2. Информация о текущих значениях
таймингов при разгоне

Более того, даже при штатном напряжении питания система стабильно работала с эффективной частотой шины памяти 1333 МГц (667 МГц), а при увеличении напряжения питания до 1,66 В нам удалось добиться ее безотказной работы и с эффективной частотой 1400 МГц (700 МГц — рис. 3).

Рис. 3. Информация о текущем значении частоты
системной шины

Выполненные нами манипуляции по разгону памяти Kingston KVR1066D3N7K2/2G принесли свои результаты, приведя в случае увеличения частоты работы шины памяти к значительному росту производительности подсистемы памяти, хотя при использовании более быстрых таймингов выигрыш в производительности не столь очевиден (см. таблицу).

Результаты тестирования модулей памяти Kingston KVR1066D3N7K2/2G

Особенно хочется отметить, с какой легкостью эти модули от Kingston Technology перешли на работу в режиме DDR3-1333 SDRAM. Для этого понадобилось лишь изменить значения делителя частоты «системная шина/шина памяти». Такими возможностями порой не могут похвастаться даже модули памяти специальных серий, а в данном случае речь идет не о каком-то решении для оверклокеров, а о массовом продукте, имеющем сравнительно невысокую цену (в Москве комплект Kingston KVR1066D3N7K2/2G можно приобрести сегодня за 450-500 долл.). Тем не менее напомним, что данные результаты тестирования памяти стоит рассматривать вкупе с конкретной моделью материнской платы, поскольку на других платформах они могут быть несколько иными.

В любом случае, модули памяти с таким запасом «прочности» и по частоте, и по таймингам, как у Kingston KVR1066D3N7K2/2G, при использовании своих штатных характеристик наверняка смогут обеспечить стабильную работу с любой конфигурацией компьютерной системы.

Из всего вышесказанного можно сделать следующий вывод: Kingston KVR1066D3N7K2/2G — это качественный продукт, позволяющий уже сегодня осуществить переход на работу с памятью нового поколения DDR3 SDRAM.

КомпьютерПресс 8'2007