Инженеры SK Hynix создали модуль ОЗУ типа DDR4 объемом 128 Гбайт
Южнокорейская компания SK Hynix объявила о том, что ее сотрудникам удалось создать рабочий прототип первого в мире модуля оперативной памяти типа DDR4 объемом 128 Гбайт. Это вдвое превосходит емкость модулей, доступных в продаже на данный момент.
Согласно обнародованной информации, прототип создан на базе 8-гигабитных микросхем памяти DDR4, произведенных по техпроцессу 20 нм с использованием технологии межслойных соединений (Through-Silicon Via, TSV). Модуль работает на частоте 2133 МГц, а напряжение питания составляет 1,2 В. 64-разрядный интерфейс обмена данными позволяет достичь пропускной способности порядка 17 Гбайт/с.
Приступить к серийному производству 128-гигабайтных модулей памяти DDR4 компания планирует в первой половине 2015 года. По мнению ряда аналитиков, широкое распространение модули оперативной памяти типа DDR4 получат не ранее 2016 года.