HGST продемонстрировала прототип SSD-накопителя с фазовой памятью
В ходе конференции Flash Memory Summit, которая проходит в эти дни в городе Санта-Клара (США), представители компании HGST, являющейся в настоящее время дочерним подразделением Western Digital, продемонстрировали рабочий прототип твердотельного накопителя нового типа. Он построен на базе чипов памяти с изменяемым фазовым состоянием (Phase Change Memory, PCM). Фазовое состояние рабочего вещества (в данном случае — халькогенида) при нагреве можно изменять с кристаллического на аморфное и наоборот. Именно так и происходит запись данных в двоичные ячейки.
Как утверждают разработчики HGST, созданный ими прототип накопителя на базе PCM-памяти значительно превосходит по быстродействию существующие образцы аналогичных устройств на базе микросхем флэш-памяти. В частности, он способен выполнять до 3 млн операций ввода-вывода в секунду (IOPS) в режиме произвольного чтения данных блоками по 512 байт. Как и флэш-память, PCM-память является энергонезависимой — то есть ее содержимое сохраняется даже при отключении питания накопителя.
Показанный HGST прототип выполнен в виде платы расширения, предназначенной для установки в слот PCIe 2.0 (x4). На ней смонтированы чипы PCM-памяти емкостью по 1 Гбит, произведенные по технологическому процессу 45 нм.
По мнению специалистов, процесс внедрения PCM-памяти в серийно выпускаемые устройства только начался, а для адаптации данной технологии к использованию в коммерческих продуктах понадобится несколько лет.
