Samsung приступила к серийному выпуску 8-гигабитных чипов DDR4 по техпроцессу 20 нм
Компания Samsung расширяет номенклатуру компонентов, в которых применяются микросхемы, изготавливаемые по технологическому процессу 20 нм. Недавно южнокорейский производитель приступил к серийному выпуску 8-гигабитных микросхем памяти типа DDR4. Благодаря переходу на 20-нм техпроцесс удалось повысить такие важные показатели, как производительность и энергоэффективность.
В настоящее время эти микросхемы применяются в модулях регистровой памяти RDIMM DDR4 емкостью 32 Гбайт, которые предназначены для установки в серверы. В перспективе фирменная технология 3D TSV (through silicon via) позволит объединять 8-гигабиные чипы в пакеты, что, в свою очередь, откроет возможности по увеличению максимальной емкости модулей оперативной памяти типа DDR4 до 128 Гбайт.
