Samsung поможет Qualcomm в разработке SoC Snapdragon 835
Компании Samsung и Qualcomm Technologies будут вместе разрабатывать однокристальную платформу (System-on-chip, SoC) Snapdragon 835, которая предназначена для создания мобильных устройств флагманского уровня и в перспективе заменит ныне выпускаемые чипы Snapdragon 820 и Snapdragon 821. Информация об этом содержится в пресс-релизе, который накануне был опубликован в разделе новостей официального веб-сайта южнокорейского производителя.
Новый чип планируется производить по техпроцессу 10 нм с использованием технологии FinFET. Как утверждают разработчики, платформа Snapdragon 835 обладает более высокой (на 27%) производительностью и при этом потребляет на 40% меньше электроэнергии по сравнению с аналогичными решениями, выпускаемыми по технологическим нормам 14 нм. Кроме того, новый чип будет выполнен в более компактном корпусе.
Появление в продаже первых моделей смартфонов и других устройств, построенных на базе Snapdragon 835, ожидается в первой половине 2017 года.