Samsung приступила к серийному производству 16-гигабитных микросхем GDDR6
Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о запуске серийного производства первых в мире микросхем видеопамяти типа GDDR6 емкостью 16 Гбит (2 Гбайт). Эти компоненты изготавливаются по технологическим нормам 10 нм и рассчитаны на питание напряжением 1,35 В (против 1,55 В в случае GDDR5).
Переход на 10-нм техпроцесс позволил не только увеличить емкость микросхем видеопамяти, но и снизить энергопотребление (по данным производителя — на 35% по сравнению с чипами GDDR5, изготовленными по техпроцессу 20 нм). Скорость передачи данных новых микросхем GDDR6 достигает 72 Гбайт/с.
Ожидается, что видеопамять типа GDDR6 будет применяться в графических ускорителях следующего поколения. Кроме того, эти микросхемы могут быть востребованы производителями электронных компонентов для беспилотных автомобилей, а также создателями систем искусственного интеллекта.