SK Hynix приступила к серийному выпуску терабитных микросхем флэш-памяти TLC 4D NAND со 128-слойной структурой
Компания SK Hynix объявила о начале серийного производства микросхем флэш-памяти типа TLC 4D NAND объемом 1 Тбит со 128-слойной структурой. Этот чип содержит 360 млрд ячеек NAND, каждая из которых способна хранить 3 бита информации.
На данный момент терабитный чип является наиболее вместительным из серийно выпускаемых микросхем флэш-памяти типа TLC NAND. Как подчеркивается в пресс-релизе, ряд компаний (включая SK Hynix) уже разработали терабитные чипы QLC NAND, однако именно SK Hynix первой приступила к серийному производству терабитных микросхем флэш-памяти типа TLC NAND.
Наиболее важным памяти 4D NAND, которую SK Hynix представила в октябре минувшего года, является повышенная плотность компоновки. Такой результат достигнут за счет вертикальной интеграции ячеек памяти с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF) и периферийных цепей, размещенных в нижележащем слое (Peri. Under Cell, PUC).
Благодаря сочетанию высокой производительности (до 1400 Мбит/с) с низким уровнем энергопотребления новые чипы флэш-памяти TLC 4D NAND подходят для использования как в твердотельных накопителях, так и во встроенной памяти мобильных устройств.
Поставки новых микросхем заказчикам начнутся во второй половине текущего года. В 2020 году SK Hynix планирует создать на базе этих чипов модуль памяти стандарта UFS 3.1 емкостью 1 Тбайт, предназначенный для оснащения смартфонов, а также приступить к серийному выпуску твердотельных накопителей объемом до 2 Тбайт, в которых будут применены контроллер и микрокод собственной разработки.
Компания также сообщила о том, что в настоящее время ведутся работы по созданию микросхем флэш-памяти 4D NAND со 176-слойной структурой.
