Компания Micron начала поставки микросхем флэш-памяти 3D NAND с 176-слойной структурой

10.11.2020

Компания Micron Technology сообщила о начале поставок первых в мире серийно выпускаемых микросхем флэш-памяти типа 3D NAND с 176-слойной структурой. Эти компоненты разработаны для твердотельных накопителей, предназначенных для оснащения центров обработки данных, а также использования в периферийных и мобильных устройствах.

Micron logo

Как утверждает производитель, применение передовой архитектуры позволило не только значительно повысить удельную плотность хранения данных, но и увеличить производительность. Это уже пятое поколение флэш-памяти типа 3D NAND и второе на базе архитектуры RG (replacement-gate).

По сравнению с предыдущим поколением микросхем флэш-памяти типа 3D NAND производства Micron в новых изделиях удалось сократить задержки при выполнении операций чтения и записи более чем на 35%. Кроме того, на треть увеличена скорость передачи данных.

Важным достоинством 176-слойной структуры является компактность, что позволяет увеличить удельную плотность хранимых данных. Это особенно важно при создании накопителей малых формфакторов.

В настоящее время микросхемы флэш-памяти типа 3D NAND с 176-слойной структурой производства Micron уже применяются в твердотельных накопителях Crucial.


Наш канал на Youtube

1999 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Популярные статьи
КомпьютерПресс использует