Western Digital и Kioxia представили технологию производства микросхем флэш-памяти поколения BiCS 6

20.02.2021

В ходе международной конференции ISSCC компании Western Digital и Kioxia (ранее известная как Toshiba Memory Solutions) сообщила о создании технологии производства микросхем флэш-памяти 3D NAND с 162-слойной структурой поколения BiCS 6.

BiCS 6

Одним из главных преимуществ новой технологии является увеличения удельной плотности размещения ячеек в кристалле. По оценкам специалистов, благодаря этому удастся существенно (почти в 2,4 раза) улучшить показатели производительности микросхем флэш-памяти, а также снизить удельную стоимость хранимых данных.

Информации о том, когда создатели новой технологии планируют приступить к серийному выпуску микросхем флэш-памяти поколения BiCS 6, пока нет.


Наш канал на Youtube

1999 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Популярные статьи
КомпьютерПресс использует