У SK hynix уже готова память LPDDR5T для мобильных устройств
Корпорация SK hynix сообщила о завершении работ по созданию модулей оперативной памяти типа LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo). Они предназначены для мобильных устройств (смартфонов, планшетов и т.д.).
По информации разработчиков, память типа LPDDR5T обладает пропускной способностью 9,6 Гбит/с, что на 13% превосходит аналогичный показатель памяти LPDDR5X, представленной в ноябре минувшего года. Именно поэтому в обозначении новинки используется буква T (сокращение от Turbo).
Чипы LPDDR5T рассчитаны на питание напряжением от 1,01 до 1,12 В постоянного тока, благодаря чему обеспечивается низкий уровень энергопотребления.
SK hynix уже начала отгрузки инженерных образцов микросхем памяти LPDDR5T емкостью 16 Гбайт заинтересованным заказчикам. Запуск серийного производства таких чипов намечен на вторую половину текущего года.