Память для работы искусственного интелекта
Компания NEO Semiconductor анонсировала революционную технологию памяти 3D X-DRAM. Эта разработка представляет собой первый в мире массив ячеек DRAM, подобный 3D NAND, который предназначен для устранения ограничений по объему памяти DRAM и замены всего рынка 2D DRAM. Соответствующие патентные заявки были опубликованы в США 6 апреля 2023 года.
3D X-DRAM от NEO Semiconductor — это первая в своем роде структура массива ячеек DRAM, подобная 3D NAND, основанная на технологии бесконденсаторных ячеек памяти. Подобная ячеистая структура упрощает этапы процесса производства и обеспечивает высокоскоростное, объемное, недорогое и высокоэффективное решение, поскольку она требует лишь одной маски для формирования вертикальной структуры. По оценкам Neo, технология 3D X-DRAM может обеспечить создание микросхем с 230 слоями и объемом 128 Гб, что в 8 раз превышает сегодняшнюю плотность DRAM.
По мнению компании, 3D X-DRAM — это необходимое решение для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительные полупроводниковые устройства памяти большой емкости, вызванного следующей волной приложений искусственного интеллекта (ИИ), таких как ChatGPT.
